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规格书 |
BSC084P03NS3E G |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 5,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 14.9A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 8.4 mOhm @ 50A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 110µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 57.7nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4240pF @ 15V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
RoHS | RoHS Compliant |
晶体管极性 | P-Channel |
漏源击穿电压 | - 30 V |
源极击穿电压 | +/- 25 V |
连续漏极电流 | - 78.6 A |
抗漏源极RDS ( ON) | 8.4 mOhms at - 10 V |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | TDSON-8 |
封装 | Reel |
下降时间 | 8.1 nS |
栅极电荷Qg | 43.4 nC |
最低工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 69 W |
上升时间 | 133.5 nS |
典型关闭延迟时间 | 33.3 nS |
零件号别名 | BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3EGXT SP000473012 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 14.9A (Ta), 78.6A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 110µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 5,000 |
供应商设备封装 | PG-TDSON-8 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 8.4 mOhm @ 50A, 10V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4240pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 57.7nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | BSC084P03NS3E GDKR |
系列 | BSC084P03 |
RDS(ON) | 8.4 mOhms |
工厂包装数量 | 5000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
宽度 | 5.15 mm |
Qg - Gate Charge | 43.4 nC |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | OptiMOS |
晶体管类型 | 1 P-Channel |
Id - Continuous Drain Current | - 78.6 A |
长度 | 5.9 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 8.4 mOhms |
身高 | 1.27 mm |
Pd - Power Dissipation | 69 W |
技术 | Si |
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